STPSC10H12G-TR STMicroelectronics
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 211.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC10H12G-TR STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12G-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Kapazitive Gesamtladung: 57nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції STPSC10H12G-TR за ціною від 164.00 грн до 546.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STPSC10H12G-TR | Виробник : STMicroelectronics |
 Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STPSC10H12G-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STPSC10H12G-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STPSC10H12G-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V |
на замовлення 926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STPSC10H12G-TR | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12G-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 57nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
на замовлення 2905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STPSC10H12G-TR | Виробник : STMicroelectronics |
SiC Schottky Diodes 1200 V, 10 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode |
на замовлення 3608 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STPSC10H12G-TR | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12G-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 57nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
на замовлення 2905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STPSC10H12G-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
STPSC10H12G-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STPSC10H12G-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| STPSC10H12G-TR | Виробник : STMicroelectronics |
STPSC10H12G-TR SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
STPSC10H12G-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |