STPSC10H12G2-TR STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12G2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, D2PAK-HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D2PAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 270.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC10H12G2-TR STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12G2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, D2PAK-HV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: D2PAK-HV, Kapazitive Gesamtladung: 57nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STPSC10H12G2-TR за ціною від 180.54 грн до 434.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC10H12G2-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: D2PAK HV Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V |
на замовлення 864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STPSC10H12G2-TR | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12G2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, D2PAK-HV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: D2PAK-HV Kapazitive Gesamtladung: 57nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STPSC10H12G2-TR | Виробник : STMicroelectronics |
SiC Schottky Diodes 1200V, 10A, silicon carbide power Schottky Diode |
на замовлення 670 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| STPSC10H12G2-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||
 |
STPSC10H12G2-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
STPSC10H12G2-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| STPSC10H12G2-TR | Виробник : STMicroelectronics |
STPSC10H12G2-TR SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
||||||||||||
|
|
STPSC10H12G2-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: D2PAK HV Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |