STPSC10H12G2-TR

STPSC10H12G2-TR STMicroelectronics


stpsc10h12g2-tr.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK HV
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 864 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+385.64 грн
10+311.95 грн
100+252.40 грн
500+210.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STPSC10H12G2-TR STMicroelectronics

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A D2PAK, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Supplier Device Package: D2PAK HV, Current - Average Rectified (Io): 10A, Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A.

Інші пропозиції STPSC10H12G2-TR за ціною від 162.34 грн до 403.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STPSC10H12G2-TR STPSC10H12G2-TR Виробник : STMicroelectronics stpsc10h12g2-tr.pdf SiC Schottky Diodes 1200V, 10A, silicon carbide power Schottky Diode
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+403.17 грн
10+278.83 грн
100+180.45 грн
500+162.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G2-TR STPSC10H12G2-TR Виробник : STMicroelectronics stpsc10h12g2-tr.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A D2PAK
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK HV
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.