STPSC10H12G2-TR STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIC 1.2KV 10A D2PAK HV
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK HV
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 364.44 грн |
| 10+ | 233.09 грн |
| 100+ | 166.04 грн |
| 500+ | 128.98 грн |
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Технічний опис STPSC10H12G2-TR STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12G2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, D2PAK-HV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: D2PAK-HV, Kapazitive Gesamtladung: 57nC, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції STPSC10H12G2-TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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STPSC10H12G2-TR | STMicroelectronics |
SiC Schottky Diodes 1200V, 10A, silicon carbide power Schottky Diode |
на замовлення 505 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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STPSC10H12G2-TR | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12G2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, D2PAK-HV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: D2PAK-HV Kapazitive Gesamtladung: 57nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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STPSC10H12G2-TR | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12G2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, D2PAK-HV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: D2PAK-HV Kapazitive Gesamtladung: 57nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| STPSC10H12G2-TR |
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Виробник: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes 1200V, 10A, silicon carbide power Schottky Diode
SiC Schottky Diodes 1200V, 10A, silicon carbide power Schottky Diode
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STPSC10H12G2-TR |
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Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12G2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, D2PAK-HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D2PAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12G2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, D2PAK-HV
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Bauform - Diode: D2PAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
euEccn: NLR
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Diodenmontage: Oberflächenmontage
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Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
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Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STPSC10H12G2-TR |
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Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12G2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, D2PAK-HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D2PAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
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Diodenkonfiguration: Einfach
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Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
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Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12G2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, D2PAK-HV
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Bauform - Diode: D2PAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
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Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)