Продукція > STMICROELECTRONICS > STPSC10H12G2Y-TR
STPSC10H12G2Y-TR

STPSC10H12G2Y-TR STMICROELECTRONICS

3207679.pdf Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12G2Y-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, D2PAK-HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D2PAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+279.28 грн
500+232.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STPSC10H12G2Y-TR STMICROELECTRONICS

Description: DIODE SIC 1.2KV 10A D2PAK HV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: D2PAK HV, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції STPSC10H12G2Y-TR за ціною від 168.08 грн до 533.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STPSC10H12G2Y-TR STPSC10H12G2Y-TR Виробник : STMicroelectronics stpsc10h12g2y-tr.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK HV T/R
на замовлення 2699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
96+332.34 грн
101+315.40 грн
500+299.53 грн
1000+272.50 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G2Y-TR STPSC10H12G2Y-TR Виробник : STMicroelectronics stpsc10h12g2y-tr.pdf Description: DIODE SIC 1.2KV 10A D2PAK HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+475.14 грн
10+307.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G2Y-TR STPSC10H12G2Y-TR Виробник : STMicroelectronics stpsc10h12g2y-tr.pdf SiC Schottky Diodes Automotive Grade 1200V, 10A, silicon carbide power Schottky Diode
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+515.22 грн
10+345.56 грн
100+224.38 грн
1000+178.39 грн
5000+168.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G2Y-TR STPSC10H12G2Y-TR Виробник : STMICROELECTRONICS 3207679.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12G2Y-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, D2PAK-HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D2PAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+533.65 грн
10+371.77 грн
100+279.28 грн
500+232.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G2Y-TR Виробник : STMicroelectronics stpsc10h12g2y-tr.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G2Y-TR STPSC10H12G2Y-TR Виробник : STMicroelectronics stpsc10h12g2y-tr.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G2Y-TR STPSC10H12G2Y-TR Виробник : STMicroelectronics stpsc10h12g2y-tr.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK HV T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G2Y-TR STPSC10H12G2Y-TR Виробник : STMicroelectronics stpsc10h12g2y-tr.pdf Description: DIODE SIC 1.2KV 10A D2PAK HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G2Y-TR Виробник : STMicroelectronics stpsc10h12g2y-tr.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.25V
Max. load current: 25A
Leakage current: 0.4mA
Max. forward impulse current: 71A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.