STPSC10H12GY-TR STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC10H12GY-TR STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A D2PAK, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Supplier Device Package: D2PAK, Current - Average Rectified (Io): 10A, Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.
Інші пропозиції STPSC10H12GY-TR за ціною від 147.47 грн до 434.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STPSC10H12GY-TR | STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STPSC10H12GY-TR | STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 631 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STPSC10H12GY-TR | STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A D2PAK Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Current - Average Rectified (Io): 10A Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: D2PAK |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STPSC10H12GY-TR | STMicroelectronics |
SiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 10 A Silicon Carbide Power Schottky Diode |
на замовлення 340 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
STPSC10H12GY-TR | STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 631 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STPSC10H12GY-TR |
|
Виробник: STMicroelectronics
Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 170.34 грн |
| STPSC10H12GY-TR |
|
Виробник: STMicroelectronics
Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 79+ | 178.98 грн |
| 80+ | 177.24 грн |
| 100+ | 169.24 грн |
| 250+ | 155.16 грн |
| 500+ | 147.47 грн |
| STPSC10H12GY-TR |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A D2PAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A D2PAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 434.05 грн |
| 10+ | 279.25 грн |
| STPSC10H12GY-TR |
|
Виробник: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 10 A Silicon Carbide Power Schottky Diode
SiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 10 A Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STPSC10H12GY-TR |
|
Виробник: STMicroelectronics
Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)