STPSC10H12GY-TR STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC10H12GY-TR STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A D2PAK, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Supplier Device Package: D2PAK, Current - Average Rectified (Io): 10A, Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.
Інші пропозиції STPSC10H12GY-TR за ціною від 177.30 грн до 556.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STPSC10H12GY-TR | STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A D2PAK Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Current - Average Rectified (Io): 10A Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: D2PAK |
на замовлення 1007 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STPSC10H12GY-TR | STMicroelectronics |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STPSC10H12GY-TR | STMicroelectronics |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STPSC10H12GY-TR | STMicroelectronics |
SiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 10 A Silicon Carbide Power Schottky Diode |
на замовлення 7762 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STPSC10H12GY-TR |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A D2PAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A D2PAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 185.50 грн |
| 10+ | 177.30 грн |
| STPSC10H12GY-TR |
|
Виробник: STMicroelectronics
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 556.15 грн |
| 10+ | 473.54 грн |
| 25+ | 468.86 грн |
| 100+ | 374.18 грн |
| 250+ | 342.86 грн |
| 500+ | 257.38 грн |
| STPSC10H12GY-TR |
|
Виробник: STMicroelectronics
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 26+ | 556.15 грн |
| 30+ | 468.86 грн |
| 100+ | 374.18 грн |
| 250+ | 342.86 грн |
| 500+ | 257.38 грн |
| STPSC10H12GY-TR |
|
Виробник: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 10 A Silicon Carbide Power Schottky Diode
SiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 10 A Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 7762 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)