STPSC10H12GY-TR STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 184.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC10H12GY-TR STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: D2PAK, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції STPSC10H12GY-TR за ціною від 166.94 грн до 483.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC10H12GY-TR | Виробник : STMicroelectronics |
SiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 10 A Silicon Carbide Power Schottky Diode |
на замовлення 8097 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STPSC10H12GY-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STPSC10H12GY-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STPSC10H12GY-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STPSC10H12GY-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STPSC10H12GY-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
STPSC10H12GY-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STPSC10H12GY-TR | Виробник : STMicroelectronics |
STPSC10H12GY-TR SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |