STPSC10H12WL STMicroelectronics
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 370.86 грн |
| 10+ | 335.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC10H12WL STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A DO247, Packaging: Tube, Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads), Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: DO-247, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції STPSC10H12WL за ціною від 202.31 грн до 485.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC10H12WL | STMicroelectronics |
 Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A DO247Packaging: Tube Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads) Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: DO-247 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V |
на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
STPSC10H12WL | STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin DO-247 Tube |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
STPSC10H12WL | STMicroelectronics |
SiC Schottky Diodes 1200 V, 10 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode |
на замовлення 377 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STPSC10H12WL |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A DO247
Packaging: Tube
Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DO-247
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A DO247
Packaging: Tube
Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DO-247
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 445.00 грн |
| 30+ | 243.10 грн |
| 120+ | 202.31 грн |
| STPSC10H12WL |
|
Виробник: STMicroelectronics
Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin DO-247 Tube
Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin DO-247 Tube
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 485.63 грн |
| STPSC10H12WL |
|
Виробник: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes 1200 V, 10 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
SiC Schottky Diodes 1200 V, 10 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)