STPSC10H12WL STMicroelectronics


161663421386405672.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin DO-247 Tube
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+375.00 грн
10+339.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STPSC10H12WL STMicroelectronics

Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A DO247, Packaging: Tube, Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads), Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: DO-247, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V.

Інші пропозиції STPSC10H12WL за ціною від 152.64 грн до 491.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STPSC10H12WL STPSC10H12WL STMicroelectronics en.DM00280910.pdf SiC Schottky Diodes 1200 V, 10 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 377 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+424.66 грн
10+237.80 грн
100+172.21 грн
600+166.34 грн
1200+155.90 грн
3000+152.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12WL STPSC10H12WL STMicroelectronics en.DM00280910.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A DO247
Packaging: Tube
Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DO-247
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+439.85 грн
30+240.29 грн
120+199.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12WL STPSC10H12WL STMicroelectronics 161663421386405672.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin DO-247 Tube
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+491.05 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12WL en.DM00280910.pdf
Виробник: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes 1200 V, 10 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 377 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+424.66 грн
10+237.80 грн
100+172.21 грн
600+166.34 грн
1200+155.90 грн
3000+152.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12WL en.DM00280910.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A DO247
Packaging: Tube
Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DO-247
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+439.85 грн
30+240.29 грн
120+199.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12WL 161663421386405672.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin DO-247 Tube
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+491.05 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.