STPSC10TH13TI STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB Insulated
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 371.78 грн |
| 50+ | 162.82 грн |
| 100+ | 161.64 грн |
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Технічний опис STPSC10TH13TI STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10TH13TI - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, zweifach, in Reihe, 650V, 10A, 28.5nC, TO-220AB, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AB, Kapazitive Gesamtladung: 28.5nC, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: 650V, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції STPSC10TH13TI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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STPSC10TH13TI | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10TH13TI - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, zweifach, in Reihe, 650V, 10A, 28.5nC, TO-220AB tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AB Kapazitive Gesamtladung: 28.5nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: 650V productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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STPSC10TH13TI | STMicroelectronics |
SiC Schottky Diodes Dual 650V Pwr Schtky Silicn Carbide Diode |
на замовлення 927 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STPSC10TH13TI |
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Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10TH13TI - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, zweifach, in Reihe, 650V, 10A, 28.5nC, TO-220AB
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Kapazitive Gesamtladung: 28.5nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10TH13TI - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, zweifach, in Reihe, 650V, 10A, 28.5nC, TO-220AB
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Kapazitive Gesamtladung: 28.5nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STPSC10TH13TI |
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Виробник: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes Dual 650V Pwr Schtky Silicn Carbide Diode
SiC Schottky Diodes Dual 650V Pwr Schtky Silicn Carbide Diode
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)