STPSC10TH13TI STMicroelectronics


en.DM00086244.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB Insulated
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+373.37 грн
50+163.51 грн
100+162.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STPSC10TH13TI STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10TH13TI - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, zweifach, in Reihe, 650V, 10A, 28.5nC, TO-220AB, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AB, Kapazitive Gesamtladung: 28.5nC, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: 650V, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції STPSC10TH13TI за ціною від 169.60 грн до 465.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STPSC10TH13TI STPSC10TH13TI STMicroelectronics en.DM00086244.pdf SiC Schottky Diodes Dual 650V Pwr Schtky Silicn Carbide Diode
на замовлення 508 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+465.76 грн
10+306.82 грн
100+214.61 грн
500+190.48 грн
1000+169.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10TH13TI STPSC10TH13TI STMICROELECTRONICS SGST-S-A0001418933-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10TH13TI - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, zweifach, in Reihe, 650V, 10A, 28.5nC, TO-220AB
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Kapazitive Gesamtladung: 28.5nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10TH13TI en.DM00086244.pdf
Виробник: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes Dual 650V Pwr Schtky Silicn Carbide Diode
на замовлення 508 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+465.76 грн
10+306.82 грн
100+214.61 грн
500+190.48 грн
1000+169.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10TH13TI SGST-S-A0001418933-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10TH13TI - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, zweifach, in Reihe, 650V, 10A, 28.5nC, TO-220AB
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Kapazitive Gesamtladung: 28.5nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.