Продукція > STMICROELECTRONICS > STPSC12065G-TR

STPSC12065G-TR STMicroelectronics

Name: STPSC12065G-TR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 4273781-4
Price: 586.18 UAH
Availability: InStock

Виробник: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode

на замовлення 915 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	293.09 грн
10+	222.77 грн
100+	144.53 грн
500+	122.58 грн
1000+	121.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис STPSC12065G-TR STMicroelectronics

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: D2PAK, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 650 V.

Інші пропозиції STPSC12065G-TR

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
STPSC12065G-TR	Виробник : STMicroelectronics	Diode Schottky SiC 650V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STPSC12065G-TR	Виробник : STMicroelectronics	Diode Schottky SiC 650V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STPSC12065G-TR	Виробник : STMicroelectronics	Diode Schottky SiC 650V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STPSC12065G-TR	Виробник : STMicroelectronics	Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 650 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STPSC12065G-TR	Виробник : STMicroelectronics	Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 650 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.