STPSC12065G2-TR STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 650 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 298.66 грн |
| 10+ | 190.20 грн |
| 100+ | 134.78 грн |
| 500+ | 117.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC12065G2-TR STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: D2PAK, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 650 V.
Інші пропозиції STPSC12065G2-TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC12065G2-TR | STMicroelectronics |
SiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode |
на замовлення 1280 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STPSC12065G2-TR |
|
Виробник: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode
SiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)