STPSC12065GY-TR

STPSC12065GY-TR STMicroelectronics


en.DM00289670.pdf
Виробник: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes Automotive 650 V, TO-220 D2PAK SiC Power Schottky Diode
на замовлення 850 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+300.05 грн
10+215.61 грн
100+139.40 грн
500+129.64 грн
1000+117.09 грн
2000+102.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STPSC12065GY-TR STMicroelectronics

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 12 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Supplier Device Package: D2PAK, Current - Average Rectified (Io): 12A, Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.

Інші пропозиції STPSC12065GY-TR за ціною від 132.00 грн до 350.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STPSC12065GY-TR STPSC12065GY-TR Виробник : STMicroelectronics en.DM00289670.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+350.49 грн
10+226.74 грн
100+169.90 грн
500+132.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065GY-TR STPSC12065GY-TR Виробник : STMicroelectronics en.DM00289670.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.