STPSC12065GY-TR STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes Automotive 650 V, TO-220 D2PAK SiC Power Schottky Diode
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 280.82 грн |
| 10+ | 201.80 грн |
| 100+ | 130.46 грн |
| 500+ | 121.33 грн |
| 1000+ | 109.59 грн |
| 2000+ | 95.89 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC12065GY-TR STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: D2PAK, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції STPSC12065GY-TR за ціною від 130.14 грн до 345.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC12065GY-TR | STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 742 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| STPSC12065GY-TR |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 345.54 грн |
| 10+ | 223.54 грн |
| 100+ | 167.50 грн |
| 500+ | 130.14 грн |