STPSC12H065CT STMicroelectronics
на замовлення 1849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 306.41 грн |
10+ | 271.58 грн |
100+ | 193.48 грн |
500+ | 164.79 грн |
1000+ | 139.04 грн |
2000+ | 134.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC12H065CT STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC12H065CT - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, 650V, Doppeldiode mit gemeinsamer Anode, 650V, 12A, 18nC, TO-220AB, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AB, Kapazitive Gesamtladung: 18nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції STPSC12H065CT за ціною від 340.96 грн до 401.91 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STPSC12H065CT | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AB Kapazitive Gesamtladung: 18nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 2144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
STPSC12H065CT | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
STPSC12H065CT | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A Supplier Device Package: TO-220 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |