STPSC12H065DY STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 311.21 грн |
| 10+ | 251.52 грн |
| 100+ | 203.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC12H065DY STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Last Time Buy, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції STPSC12H065DY
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC12H065DY | Виробник : STMicroelectronics |
Schottky Diodes & Rectifiers Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode |
на замовлення 228 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| STPSC12H065DY | Виробник : STMicroelectronics |
STPSC12H065DY THT Schottky diodes |
товару немає в наявності |