STPSC15H12D STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes 1200 V, 15 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 419.57 грн |
| 10+ | 308.02 грн |
| 100+ | 252.79 грн |
| 250+ | 247.53 грн |
| 500+ | 243.76 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC15H12D STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 15A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції STPSC15H12D за ціною від 202.58 грн до 526.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC15H12D | STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 1200 V |
на замовлення 934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| STPSC15H12D |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 1200 V
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 526.89 грн |
| 50+ | 274.84 грн |
| 100+ | 252.43 грн |
| 500+ | 202.58 грн |