STPSC16H065AW STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes 650 V, 16 A Single High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 360.22 грн |
| 10+ | 228.43 грн |
| 25+ | 197.94 грн |
| 100+ | 181.91 грн |
| 600+ | 174.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC16H065AW STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3, Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 16 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-247-3, Current - Average Rectified (Io): 16A, Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції STPSC16H065AW
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC16H065AW | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3 Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 16 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247-3 Current - Average Rectified (Io): 16A Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
товару немає в наявності |