STPSC16H065AW STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes 650 V, 16 A Single High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC16H065AW STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3, Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 16 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-247-3, Current - Average Rectified (Io): 16A, Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції STPSC16H065AW
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
STPSC16H065AW | STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 16 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247-3 Current - Average Rectified (Io): 16A Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. |
|
STPSC16H065AW | STMicroelectronics |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. |
| STPSC16H065AW |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 16 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io): 16A
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 16 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io): 16A
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику
од. на суму грн.
| STPSC16H065AW |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику
од. на суму грн.




