STPSC16H065AW STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes 650 V, 16 A Single High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 450.54 грн |
| 10+ | 291.07 грн |
| 100+ | 186.56 грн |
| 600+ | 158.51 грн |
| 1200+ | 142.86 грн |
| 3000+ | 138.94 грн |
| 5400+ | 133.07 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC16H065AW STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 16A, Supplier Device Package: TO-247-3, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 16 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 650 V.
Інші пропозиції STPSC16H065AW
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
STPSC16H065AW | STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
STPSC16H065AW | STMicroelectronics |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. |
| STPSC16H065AW |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| STPSC16H065AW |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику
од. на суму грн.




