STPSC16H065AW STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, 16 A Single High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 391.08 грн |
| 10+ | 248.01 грн |
| 25+ | 214.90 грн |
| 100+ | 197.50 грн |
| 600+ | 189.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC16H065AW STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 16A, Supplier Device Package: TO-247-3, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 16 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 650 V.
Інші пропозиції STPSC16H065AW
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| STPSC16H065AW | Виробник : STMicroelectronics |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||
 |
STPSC16H065AW | Виробник : STMicroelectronics |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
STPSC16H065AW | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |