Технічний опис STPSC20065CWL STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V.
Інші пропозиції STPSC20065CWL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| STPSC20065CWL | Виробник : STMicroelectronics |
 Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||
 |
STPSC20065CWL | Виробник : STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
STPSC20065CWL | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-247 Long Leads Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |
|
| STPSC20065CWL | Виробник : STMicroelectronics |
SiC Schottky Diodes 650 V, dual 10 A, power Schottky silicon carbide diode |
товару немає в наявності |