
STPSC20065DI STMicroelectronics
на замовлення 3710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
31+ | 399.53 грн |
39+ | 318.24 грн |
50+ | 315.06 грн |
100+ | 275.97 грн |
500+ | 241.62 грн |
1000+ | 205.82 грн |
2000+ | 197.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC20065DI STMicroelectronics
Description: DIODE SIC 650V 20A TO220AC INS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-220AC ins, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V.
Інші пропозиції STPSC20065DI за ціною від 199.86 грн до 652.15 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STPSC20065DI | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 3710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STPSC20065DI | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 737 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STPSC20065DI | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220AC ins Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V |
на замовлення 926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STPSC20065DI | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AC; Ir: 2mA Case: TO220AC Mounting: THT Kind of package: tube Max. off-state voltage: 650V Max. load current: 40A Max. forward voltage: 1.65V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 0.4kA Leakage current: 2mA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Heatsink thickness: 1.23...1.32mm |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STPSC20065DI | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AC; Ir: 2mA Case: TO220AC Mounting: THT Kind of package: tube Max. off-state voltage: 650V Max. load current: 40A Max. forward voltage: 1.65V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 0.4kA Leakage current: 2mA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Heatsink thickness: 1.23...1.32mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 43 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
STPSC20065DI | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
STPSC20065DI | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |