STPSC20065DI STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AC; Ir: 2mA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. load current: 40A
Kind of package: tube
Leakage current: 2mA
Max. forward impulse current: 0.4kA
Max. forward voltage: 1.65V
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 445.28 грн |
| 3+ | 390.55 грн |
| 5+ | 355.74 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC20065DI STMicroelectronics
Description: DIODE SIC 650V 20A TO220AC INS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-220AC ins, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V.
Інші пропозиції STPSC20065DI за ціною від 181.75 грн до 506.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC20065DI | STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube |
на замовлення 3710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STPSC20065DI | STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube |
на замовлення 3710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STPSC20065DI | STMicroelectronics |
Description: DIODE SIC 650V 20A TO220AC INS Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220AC ins Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V |
на замовлення 643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STPSC20065DI | STMicroelectronics |
SiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode |
на замовлення 737 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| STPSC20065DI |
|
Виробник: STMicroelectronics
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
на замовлення 3710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 478.48 грн |
| 10+ | 381.13 грн |
| 50+ | 377.32 грн |
| 100+ | 330.51 грн |
| 500+ | 289.38 грн |
| 1000+ | 246.50 грн |
| 2000+ | 236.79 грн |
| STPSC20065DI |
|
Виробник: STMicroelectronics
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
на замовлення 3710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 31+ | 478.48 грн |
| 39+ | 381.13 грн |
| 50+ | 377.32 грн |
| 100+ | 330.51 грн |
| 500+ | 289.38 грн |
| 1000+ | 246.50 грн |
| 2000+ | 236.79 грн |
| STPSC20065DI |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIC 650V 20A TO220AC INS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC ins
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V
Description: DIODE SIC 650V 20A TO220AC INS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC ins
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 491.97 грн |
| 10+ | 318.94 грн |
| 50+ | 252.45 грн |
| 100+ | 216.86 грн |
| 500+ | 181.75 грн |
| STPSC20065DI |
|
Виробник: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode
SiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode
на замовлення 737 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 506.46 грн |
| 10+ | 289.85 грн |
| 100+ | 230.97 грн |
| 500+ | 212.92 грн |