STPSC20065DY STMicroelectronics
на замовлення 1409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 439.26 грн |
| 10+ | 298.28 грн |
| 100+ | 232.88 грн |
| 500+ | 220.33 грн |
| 1000+ | 219.63 грн |
| 2000+ | 214.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC20065DY STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 600 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції STPSC20065DY за ціною від 206.21 грн до 531.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC20065DY | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220ACPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 600 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STPSC20065DY | Виробник : STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |