Продукція > STMICROELECTRONICS > STPSC20065GY-TR
STPSC20065GY-TR

STPSC20065GY-TR STMicroelectronics

en.DM00288933.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+220.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STPSC20065GY-TR STMicroelectronics

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: D2PAK, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 600 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції STPSC20065GY-TR за ціною від 213.34 грн до 492.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STPSC20065GY-TR STPSC20065GY-TR Виробник : STMicroelectronics en.DM00288933.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+459.99 грн
10+308.86 грн
100+259.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065GY-TR STPSC20065GY-TR Виробник : STMicroelectronics stpsc20065_y-1851720.pdf SiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 20 A SiC Power Schottky Diode
на замовлення 1627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+492.73 грн
10+352.16 грн
100+224.96 грн
250+224.23 грн
500+213.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065GY-TR STPSC20065GY-TR Виробник : STMicroelectronics 5494427160051039stpsc20065-y.pdf Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065GY-TR Виробник : STMicroelectronics 5494427160051039stpsc20065-y.pdf Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065GY-TR STPSC20065GY-TR Виробник : STMicroelectronics 5494427160051039stpsc20065-y.pdf Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065GY-TR STPSC20065GY-TR Виробник : STMicroelectronics 5494427160051039stpsc20065-y.pdf Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065GY-TR Виробник : STMicroelectronics en.DM00288933.pdf STPSC20065GY-TR SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.