
STPSC20065W STMicroelectronics
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 585.36 грн |
10+ | 417.09 грн |
100+ | 300.16 грн |
250+ | 284.71 грн |
600+ | 260.43 грн |
1200+ | 209.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC20065W STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A DO247, Packaging: Tube, Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads), Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: DO-247, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V.
Інші пропозиції STPSC20065W
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
STPSC20065W | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|
STPSC20065W | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
STPSC20065W | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|
STPSC20065W | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||
|
STPSC20065W | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads) Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: DO-247 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |