STPSC20065W STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A DO247
Packaging: Tube
Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: DO-247
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 460.64 грн |
| 30+ | 252.64 грн |
| 60+ | 229.77 грн |
| 120+ | 197.58 грн |
| 510+ | 168.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC20065W STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A DO247, Packaging: Tube, Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads), Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: DO-247, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V.
Інші пропозиції STPSC20065W
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC20065W | STMicroelectronics |
SiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode |
на замовлення 972 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STPSC20065W |
|
Виробник: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode
SiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)