STPSC20065WY STMicroelectronics
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 453.52 грн |
| 10+ | 357.47 грн |
| 100+ | 272.60 грн |
| 250+ | 245.48 грн |
| 600+ | 220.44 грн |
| 1200+ | 210.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC20065WY STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A DO247, Packaging: Tube, Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads), Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: DO-247, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції STPSC20065WY за ціною від 250.79 грн до 557.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC20065WY | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A DO247Packaging: Tube Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads) Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: DO-247 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| STPSC20065WY | Виробник : STM |
DIODE SIL CARBIDE 650V 20A DO247 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт |
товару немає в наявності |