STPSC20G12L2Y STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: RECTIFIER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1548pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: HU3PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 821.30 грн |
| 10+ | 550.80 грн |
| 100+ | 475.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC20G12L2Y STMicroelectronics
Description: RECTIFIER, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1548pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: HU3PAK, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції STPSC20G12L2Y
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC20G12L2Y | STMicroelectronics |
SiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 20A power Schottky High Surge silicon carbide diode |
на замовлення 278 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STPSC20G12L2Y |
|
Виробник: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 20A power Schottky High Surge silicon carbide diode
SiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 20A power Schottky High Surge silicon carbide diode
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)