STPSC20G12WL STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 1.2KV 20A DO247 LL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1548pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: DO-247 LL
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 797.97 грн |
| 30+ | 424.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC20G12WL STMicroelectronics
Description: DIODE SIC 1.2KV 20A DO247 LL, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1548pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: DO-247 LL, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції STPSC20G12WL за ціною від 427.92 грн до 922.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC20G12WL | Виробник : STMicroelectronics |
Schottky Diodes & Rectifiers 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode |
на замовлення 56 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|