STPSC20G12WLY STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIC 1.2KV 20A DO247 LL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: DO-247 LL
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC20G12WLY STMicroelectronics
Description: DIODE SIC 1.2KV 20A DO247 LL, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: DO-247 LL, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції STPSC20G12WLY за ціною від 381.25 грн до 872.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC20G12WLY | Виробник : STMicroelectronics |
SiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 20A power Schottky High Surge silicon carbide diode |
на замовлення 571 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|