STPSC20H12CWY STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247-3
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 604.24 грн |
| 30+ | 487.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC20H12CWY STMicroelectronics
Description: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247-3, Qualification: AEC-Q101, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Grade: Automotive, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-247-3, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції STPSC20H12CWY
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC20H12CWY | STMicroelectronics |
SiC Schottky Diodes 20 A 1200 V power Schottky silicon carbide diode |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STPSC20H12CWY |
|
Виробник: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes 20 A 1200 V power Schottky silicon carbide diode
SiC Schottky Diodes 20 A 1200 V power Schottky silicon carbide diode
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)