Продукція > STMICROELECTRONICS > STPSC20H12G-TR
STPSC20H12G-TR

STPSC20H12G-TR STMicroelectronics

en.DM00295145.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+291.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STPSC20H12G-TR STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STPSC20H12G-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 129 nC, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Kapazitive Gesamtladung: 129nC, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції STPSC20H12G-TR за ціною від 263.36 грн до 709.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STPSC20H12G-TR STPSC20H12G-TR STMicroelectronics en.DM00295145.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
на замовлення 3470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+637.34 грн
10+421.90 грн
100+313.49 грн
500+263.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TR STPSC20H12G-TR STMicroelectronics 177506858370481404.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+709.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TR STPSC20H12G-TR STMicroelectronics 177506858370481404.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+709.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TR STPSC20H12G-TR STMICROELECTRONICS SGST-S-A0004873069-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STPSC20H12G-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 129 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 129nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TR STPSC20H12G-TR STMicroelectronics en.DM00295145.pdf SiC Schottky Diodes 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TR STPSC20H12G-TR STMICROELECTRONICS SGST-S-A0004873069-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STPSC20H12G-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 129 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 129nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TR en.DM00295145.pdf
STPSC20H12G-TR
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
на замовлення 3470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+637.34 грн
10+421.90 грн
100+313.49 грн
500+263.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TR 177506858370481404.pdf
STPSC20H12G-TR
Виробник: STMicroelectronics
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+709.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TR 177506858370481404.pdf
STPSC20H12G-TR
Виробник: STMicroelectronics
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+709.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TR SGST-S-A0004873069-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STPSC20H12G-TR
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC20H12G-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 129 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 129nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TR en.DM00295145.pdf
STPSC20H12G-TR
Виробник: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TR SGST-S-A0004873069-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STPSC20H12G-TR
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC20H12G-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 129 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 129nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.