STPSC20H12GY-TR STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 443.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC20H12GY-TR STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: D2PAK, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції STPSC20H12GY-TR за ціною від 364.81 грн до 861.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC20H12GY-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STPSC20H12GY-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STPSC20H12GY-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STPSC20H12GY-TR | Виробник : STMicroelectronics |
SiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 20 A Silicon Carbide Diode |
на замовлення 352 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| STPSC20H12GY-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
|
|
STPSC20H12GY-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
STPSC20H12GY-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
STPSC20H12GY-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |