STPSC2H065B-TR STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 2A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 2A
Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC2H065B-TR STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 2A DPAK, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 2 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Supplier Device Package: DPAK, Current - Average Rectified (Io): 2A, Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 0V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції STPSC2H065B-TR за ціною від 46.58 грн до 117.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STPSC2H065B-TR | STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 2A DPAK Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 2 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: DPAK Current - Average Rectified (Io): 2A Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 4837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STPSC2H065B-TR | STMicroelectronics |
SiC Schottky Diodes 650 V, 2 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode |
на замовлення 6993 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STPSC2H065B-TR |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 2A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 2A
Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 2A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 2A
Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 117.00 грн |
| 10+ | 92.43 грн |
| 100+ | 71.88 грн |
| 500+ | 57.18 грн |
| 1000+ | 46.58 грн |
| STPSC2H065B-TR |
|
Виробник: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes 650 V, 2 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
SiC Schottky Diodes 650 V, 2 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 6993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)