STPSC2H065B-TR STMicroelectronics


stpsc2h065.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+48.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STPSC2H065B-TR STMicroelectronics

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 2A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: DPAK, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V.

Інші пропозиції STPSC2H065B-TR за ціною від 34.77 грн до 117.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STPSC2H065B-TR STPSC2H065B-TR STMicroelectronics stpsc2h065-1670743.pdf SiC Schottky Diodes 650 V, 2 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 6993 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+104.26 грн
10+79.52 грн
100+48.47 грн
500+39.47 грн
1000+36.53 грн
2500+34.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H065B-TR STPSC2H065B-TR STMicroelectronics stpsc2h065.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 4837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.50 грн
10+92.83 грн
100+72.18 грн
500+57.42 грн
1000+46.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H065B-TR stpsc2h065-1670743.pdf
Виробник: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes 650 V, 2 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 6993 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+104.26 грн
10+79.52 грн
100+48.47 грн
500+39.47 грн
1000+36.53 грн
2500+34.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H065B-TR stpsc2h065.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 4837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+117.50 грн
10+92.83 грн
100+72.18 грн
500+57.42 грн
1000+46.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.