STPSC2H12B2Y-TR STMicroelectronics


stpsc2h12-y.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 1200 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+68.41 грн
7500+61.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STPSC2H12B2Y-TR STMicroelectronics

Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 5A, Supplier Device Package: DPAK, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 1200 V.

Інші пропозиції STPSC2H12B2Y-TR за ціною від 56.13 грн до 223.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STPSC2H12B2Y-TR STPSC2H12B2Y-TR STMicroelectronics stpsc2h12-y.pdf SiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 2 A High surge Silicon Carbide Diode
на замовлення 9849 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+211.54 грн
10+103.83 грн
100+80.50 грн
500+65.38 грн
1000+62.30 грн
2500+56.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12B2Y-TR STPSC2H12B2Y-TR STMicroelectronics stpsc2h12-y.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 1200 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.77 грн
10+139.68 грн
50+107.10 грн
100+90.65 грн
500+73.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12B2Y-TR stpsc2h12-y.pdf
Виробник: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 2 A High surge Silicon Carbide Diode
на замовлення 9849 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+211.54 грн
10+103.83 грн
100+80.50 грн
500+65.38 грн
1000+62.30 грн
2500+56.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12B2Y-TR stpsc2h12-y.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 1200 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+223.77 грн
10+139.68 грн
50+107.10 грн
100+90.65 грн
500+73.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.