STPSC40065CWY STMicroelectronics


en.DM00289060.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; TO247; Ir: 2mA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247
Max. forward voltage: 1.65V
Max. forward impulse current: 0.4kA
Leakage current: 2mA
Kind of package: tube
Application: automotive industry
Max. load current: 40A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+552.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STPSC40065CWY STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STPSC40065CWY - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 62 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 62, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції STPSC40065CWY за ціною від 455.02 грн до 897.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STPSC40065CWY STPSC40065CWY STMicroelectronics en.DM00289060.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+897.51 грн
10+602.69 грн
100+455.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC40065CWY STPSC40065CWY STMicroelectronics en.DM00289060.pdf SiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 40 A dual SiC Power Schottky Diode
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC40065CWY STPSC40065CWY STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002856998-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STPSC40065CWY - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 62 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 62
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC40065CWY STMicroelectronics en.DM00289060.pdf
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC40065CWY en.DM00289060.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+897.51 грн
10+602.69 грн
100+455.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC40065CWY en.DM00289060.pdf
Виробник: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 40 A dual SiC Power Schottky Diode
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC40065CWY SGST-S-A0002856998-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC40065CWY - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 62 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 62
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC40065CWY en.DM00289060.pdf
Виробник: STMicroelectronics
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.