STPSC40065CWY STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 40 A dual SiC Power Schottky Diode
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 671.65 грн |
| 10+ | 455.27 грн |
| 100+ | 351.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC40065CWY STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-247-3, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції STPSC40065CWY за ціною від 463.52 грн до 914.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC40065CWY | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| STPSC40065CWY | Виробник : STMicroelectronics |
|
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |