STPSC40H12CWL STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE ARR SIC 1200V 38A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 38A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1041.44 грн |
| 10+ | 811.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC40H12CWL STMicroelectronics
Description: DIODE ARR SIC 1200V 38A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 38A, Supplier Device Package: TO-247-3, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції STPSC40H12CWL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC40H12CWL | STMicroelectronics |
SiC Schottky Diodes 1200 V, 40 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode |
на замовлення 478 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STPSC40H12CWL |
|
Виробник: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes 1200 V, 40 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
SiC Schottky Diodes 1200 V, 40 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)