
STPSC40H12CWL STMicroelectronics

SiC Schottky Diodes 1200 V, 40 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 995.79 грн |
10+ | 933.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC40H12CWL STMicroelectronics
Description: DIODE ARR SIC 1200V 38A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 38A, Supplier Device Package: TO-247-3, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції STPSC40H12CWL за ціною від 836.81 грн до 1074.14 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STPSC40H12CWL | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 38A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V |
на замовлення 404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
STPSC40H12CWL | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||
![]() |
STPSC40H12CWL | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
STPSC40H12CWL | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |