STPSC4H065B-TR STMicroelectronics
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 69.73 грн |
| 5000+ | 65.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC4H065B-TR STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC4H065B-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 4A, 12.5nC, TO-252, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 12.5nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: 650V, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STPSC4H065B-TR за ціною від 61.78 грн до 122.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STPSC4H065B-TR | STMicroelectronics |
 Diode Schottky 650V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
STPSC4H065B-TR | STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
на замовлення 926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
STPSC4H065B-TR | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC4H065B-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 4A, 12.5nC, TO-252 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 12.5nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: 650V productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
STPSC4H065B-TR | STMicroelectronics |
SiC Schottky Diodes 650 V 4A Schottky silicon carbide DPAK |
на замовлення 2465 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
STPSC4H065B-TR | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC4H065B-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 4A, 12.5nC, TO-252 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 12.5nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: 650V productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| STPSC4H065B-TR |
|
Виробник: STMicroelectronics
Diode Schottky 650V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Diode Schottky 650V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 70.20 грн |
| 5000+ | 65.49 грн |
| STPSC4H065B-TR |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 122.39 грн |
| 10+ | 97.77 грн |
| 100+ | 77.80 грн |
| 500+ | 61.78 грн |
| STPSC4H065B-TR |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC4H065B-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 4A, 12.5nC, TO-252
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC4H065B-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 4A, 12.5nC, TO-252
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STPSC4H065B-TR |
|
Виробник: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes 650 V 4A Schottky silicon carbide DPAK
SiC Schottky Diodes 650 V 4A Schottky silicon carbide DPAK
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STPSC4H065B-TR |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC4H065B-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 4A, 12.5nC, TO-252
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC4H065B-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 4A, 12.5nC, TO-252
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)