STPSC4H065B-TR STMicroelectronics
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 61.99 грн |
| 5000+ | 57.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC4H065B-TR STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC4H065B-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 4A, 12.5nC, TO-252, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 12.5nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STPSC4H065B-TR за ціною від 49.56 грн до 195.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STPSC4H065B-TR | Виробник : STMicroelectronics |
 Diode Schottky 650V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STPSC4H065B-TR | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC4H065B-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 4A, 12.5nC, TO-252 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 12.5nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 7094 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STPSC4H065B-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
на замовлення 926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STPSC4H065B-TR | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC4H065B-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 4A, 12.5nC, TO-252 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 12.5nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STPSC4H065B-TR | Виробник : STMicroelectronics |
SiC Schottky Diodes 650 V 4A Schottky silicon carbide DPAK |
на замовлення 2465 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STPSC4H065B-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Diode Schottky 650V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
STPSC4H065B-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Diode Schottky 650V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
STPSC4H065B-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Diode Schottky 650V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
STPSC4H065B-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |