STPSC4H065DI STMicroelectronics
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 276.44 грн |
| 10+ | 132.77 грн |
| 100+ | 81.50 грн |
| 500+ | 67.91 грн |
| 1000+ | 58.10 грн |
| 2000+ | 55.24 грн |
| 5000+ | 54.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC4H065DI STMicroelectronics
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; Ufmax: 2.5V, Type of diode: Schottky rectifying, Case: TO220AC, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 4A, Semiconductor structure: single diode, Max. forward voltage: 2.5V, Max. load current: 17A, Leakage current: 170µA, Max. forward impulse current: 200A, Kind of package: tube, Heatsink thickness: 1.23...1.32mm, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції STPSC4H065DI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC4H065DI | Виробник : STMicroelectronics |
 Diode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube |
товару немає в наявності |
|
| STPSC4H065DI | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; Ufmax: 2.5V Type of diode: Schottky rectifying Case: TO220AC Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 2.5V Max. load current: 17A Leakage current: 170µA Max. forward impulse current: 200A Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.23...1.32mm кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
STPSC4H065DI | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIC 650V 4A TO220AC INS Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-220AC ins Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |
|
| STPSC4H065DI | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; Ufmax: 2.5V Type of diode: Schottky rectifying Case: TO220AC Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 2.5V Max. load current: 17A Leakage current: 170µA Max. forward impulse current: 200A Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.23...1.32mm |
товару немає в наявності |