STPSC4H065DI STMicroelectronics
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 217.68 грн |
| 10+ | 124.59 грн |
| 100+ | 82.76 грн |
| 500+ | 66.66 грн |
| 1000+ | 64.03 грн |
| 2000+ | 62.90 грн |
| 5000+ | 58.46 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC4H065DI STMicroelectronics
Description: DIODE SIC 650V 4A TO220AC INS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: TO-220AC ins, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.
Інші пропозиції STPSC4H065DI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC4H065DI | STMicroelectronics |
 Description: DIODE SIC 650V 4A TO220AC INSPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-220AC ins Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
STPSC4H065DI | STMicroelectronics |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; Ufmax: 2.5V Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Max. forward voltage: 2.5V Max. load current: 17A Max. forward impulse current: 200A Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.23...1.32mm Leakage current: 170µA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
STPSC4H065DI | STMicroelectronics |
Diode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
STPSC4H065DI | STMicroelectronics |
Diode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
| STPSC4H065DI |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIC 650V 4A TO220AC INS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC ins
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Description: DIODE SIC 650V 4A TO220AC INS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC ins
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| STPSC4H065DI |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; Ufmax: 2.5V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 2.5V
Max. load current: 17A
Max. forward impulse current: 200A
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Leakage current: 170µA
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; Ufmax: 2.5V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 2.5V
Max. load current: 17A
Max. forward impulse current: 200A
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Leakage current: 170µA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| STPSC4H065DI |
|
Виробник: STMicroelectronics
Diode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
Diode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| STPSC4H065DI |
|
Виробник: STMicroelectronics
Diode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
Diode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.