STPSC4H065DI STMicroelectronics
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 238.97 грн |
| 10+ | 114.78 грн |
| 100+ | 70.45 грн |
| 500+ | 58.71 грн |
| 1000+ | 50.23 грн |
| 2000+ | 47.75 грн |
| 5000+ | 47.36 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC4H065DI STMicroelectronics
Description: DIODE SIC 650V 4A TO220AC INS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: TO-220AC ins, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.
Інші пропозиції STPSC4H065DI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC4H065DI | STMicroelectronics |
 Description: DIODE SIC 650V 4A TO220AC INSPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-220AC ins Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
STPSC4H065DI | STMicroelectronics |
Diode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
| STPSC4H065DI |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIC 650V 4A TO220AC INS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC ins
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Description: DIODE SIC 650V 4A TO220AC INS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC ins
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| STPSC4H065DI |
|
Виробник: STMicroelectronics
Diode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
Diode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.