STPSC4H065DI STMicroelectronics
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 281.09 грн |
| 10+ | 135.01 грн |
| 100+ | 82.87 грн |
| 500+ | 69.06 грн |
| 1000+ | 59.08 грн |
| 2000+ | 56.17 грн |
| 5000+ | 55.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC4H065DI STMicroelectronics
Description: DIODE SIC 650V 4A TO220AC INS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: TO-220AC ins, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.
Інші пропозиції STPSC4H065DI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC4H065DI | Виробник : STMicroelectronics |
 Diode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
STPSC4H065DI | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIC 650V 4A TO220AC INS Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-220AC ins Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |