STPSC4H065DI STMicroelectronics
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 255.33 грн |
| 10+ | 122.63 грн |
| 100+ | 75.27 грн |
| 500+ | 62.73 грн |
| 1000+ | 53.67 грн |
| 2000+ | 51.02 грн |
| 5000+ | 50.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC4H065DI STMicroelectronics
Description: DIODE SIC 650V 4A TO220AC INS, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-220AC ins, Current - Average Rectified (Io): 4A, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC, Packaging: Tube.
Інші пропозиції STPSC4H065DI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC4H065DI | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: DIODE SIC 650V 4A TO220AC INSCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220AC ins Current - Average Rectified (Io): 4A Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC Packaging: Tube |
товару немає в наявності |