Продукція > STMICROELECTRONICS > STPSC4H065DLF

STPSC4H065DLF STMicroelectronics

Name: STPSC4H065DLF
Brand: STMicroelectronics
SKU: 4273779-4
Price: 356.2 UAH
Availability: InStock

Виробник: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes 4 A, 650 V SiC Power Schottky Diode

на замовлення 1601 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	178.10 грн
10+	150.23 грн
100+	109.35 грн
500+	95.41 грн
1000+	77.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис STPSC4H065DLF STMicroelectronics

Description: DIODE SIL CARB 650V 4A POWERFLAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 245pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.

Інші пропозиції STPSC4H065DLF

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
STPSC4H065DLF	Виробник : STMicroelectronics	Rectifier Diode Schottky Si 650V 4A 5-Pin Power Flat EP T/R	на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
STPSC4H065DLF	Виробник : STMicroelectronics	STPSC4H065DLF SMD Schottky diodes	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STPSC4H065DLF	Виробник : STMicroelectronics	Description: DIODE SIL CARB 650V 4A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 245pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STPSC4H065DLF	Виробник : STMicroelectronics	Description: DIODE SIL CARB 650V 4A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 245pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.