Продукція > STMICROELECTRONICS > STPSC4H065DLF

STPSC4H065DLF STMicroelectronics

Name: STPSC4H065DLF
Brand: STMicroelectronics
SKU: 4273779-4
Price: 334.88 UAH
Availability: InStock

Виробник: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes 4 A, 650 V SiC Power Schottky Diode

на замовлення 1301 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	83.72 грн
10+	79.24 грн
3000+	61.80 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис STPSC4H065DLF STMicroelectronics

Description: DIODE SIL CARB 650V 4A POWERFLAT, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV, Current - Average Rectified (Io): 4A, Capacitance @ Vr, F: 245pF @ 0V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції STPSC4H065DLF

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	STPSC4H065DLF	Виробник : STMicroelectronics	Description: DIODE SIL CARB 650V 4A POWERFLAT Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Current - Average Rectified (Io): 4A Capacitance @ Vr, F: 245pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR)	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	STPSC4H065DLF	Виробник : STMicroelectronics	Description: DIODE SIL CARB 650V 4A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 245pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.