STPSC4H065DLF STMicroelectronics
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 82+ | 152.02 грн |
| 106+ | 117.77 грн |
| 119+ | 105.12 грн |
| 500+ | 92.98 грн |
| 3000+ | 73.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC4H065DLF STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A POWERFLAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 245pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.
Інші пропозиції STPSC4H065DLF за ціною від 67.12 грн до 162.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC4H065DLF | Виробник : STMicroelectronics |
 SiC Schottky Diodes 4 A, 650 V SiC Power Schottky Diode |
на замовлення 1308 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STPSC4H065DLF | Виробник : STMicroelectronics |
Diode Schottky 650V 4A 4-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STPSC4H065DLF | Виробник : STMicroelectronics |
Diode Schottky 650V 4A 4-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
STPSC4H065DLF | Виробник : STMicroelectronics |
Rectifier Diode Schottky Si 650V 4A 5-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
STPSC4H065DLF | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 245pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
STPSC4H065DLF | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 245pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |