
STPSC606G-TR STMicroelectronics
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 232.04 грн |
10+ | 189.90 грн |
100+ | 131.37 грн |
500+ | 112.29 грн |
1000+ | 94.67 грн |
2000+ | 90.27 грн |
5000+ | 86.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC606G-TR STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 600V 6A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 375pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: D2PAK, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A, Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 6, Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600, Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 600 V.
Інші пропозиції STPSC606G-TR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
STPSC606G-TR | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
STPSC606G-TR | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|
STPSC606G-TR | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||
STPSC606G-TR | Виробник : STMicroelectronics | STPSC606G-TR SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
||
![]() |
STPSC606G-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARBIDE 600V 6A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 375pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 6 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
STPSC606G-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARBIDE 600V 6A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 375pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 6 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |