STPSC6H065BY-TR

STPSC6H065BY-TR STMicroelectronics


stpsc6h065by_tr-1851901.pdf Виробник: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 6 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 1713 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.78 грн
10+130.29 грн
100+94.90 грн
500+84.60 грн
1000+83.87 грн
2500+77.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STPSC6H065BY-TR STMicroelectronics

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: DPAK, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції STPSC6H065BY-TR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STPSC6H065BY-TR STPSC6H065BY-TR Виробник : STMicroelectronics dm00488.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 650V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065BY-TR Виробник : STMicroelectronics stpsc6h065by-tr.pdf STPSC6H065BY-TR SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065BY-TR STPSC6H065BY-TR Виробник : STMicroelectronics stpsc6h065by-tr.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065BY-TR STPSC6H065BY-TR Виробник : STMicroelectronics stpsc6h065by-tr.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.