Продукція > STMICROELECTRONICS > STPSC6H065BY-TR
STPSC6H065BY-TR

STPSC6H065BY-TR STMicroelectronics

stpsc6h065by-tr.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+71.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STPSC6H065BY-TR STMicroelectronics

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: DPAK, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції STPSC6H065BY-TR за ціною від 76.13 грн до 231.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STPSC6H065BY-TR STPSC6H065BY-TR STMicroelectronics stpsc6h065by-tr.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.02 грн
10+144.60 грн
50+111.00 грн
100+93.98 грн
500+76.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065BY-TR STPSC6H065BY-TR STMicroelectronics stpsc6h065by-tr.pdf SiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 6 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 3195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065BY-TR stpsc6h065by-tr.pdf
STPSC6H065BY-TR
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+231.02 грн
10+144.60 грн
50+111.00 грн
100+93.98 грн
500+76.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065BY-TR stpsc6h065by-tr.pdf
STPSC6H065BY-TR
Виробник: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 6 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 3195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.