STPSC6H065D STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 153.95 грн |
| 50+ | 119.17 грн |
| 100+ | 98.05 грн |
| 500+ | 77.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC6H065D STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-220AC, Current - Average Rectified (Io): 6A, Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2, Packaging: Tube.
Інші пропозиції STPSC6H065D
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC6H065D | STMicroelectronics |
SiC Schottky Diodes 650V Power Schottky 6A 10nC 175c |
на замовлення 457 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STPSC6H065D |
|
Виробник: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes 650V Power Schottky 6A 10nC 175c
SiC Schottky Diodes 650V Power Schottky 6A 10nC 175c
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)