Продукція > STMICROELECTRONICS > STPSC6H065DLF
STPSC6H065DLF

STPSC6H065DLF STMicroelectronics

stpsc6h065dlf.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIC 650V 6A POWERFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 350pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+83.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STPSC6H065DLF STMicroelectronics

Description: DIODE SIC 650V 6A POWERFLAT HV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 350pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V.

Інші пропозиції STPSC6H065DLF за ціною від 77.39 грн до 257.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STPSC6H065DLF STPSC6H065DLF Виробник : STMicroelectronics stpsc6h065dlf-1527958.pdf SiC Schottky Diodes 6 A, 650 V SiC Power Schottky Diode
на замовлення 1427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.74 грн
10+127.51 грн
100+93.76 грн
500+80.37 грн
1000+77.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065DLF STPSC6H065DLF Виробник : STMicroelectronics stpsc6h065dlf.pdf Description: DIODE SIC 650V 6A POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 350pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 10586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.59 грн
10+147.97 грн
100+111.47 грн
500+86.94 грн
1000+80.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065DLF STPSC6H065DLF Виробник : STMicroelectronics en.dm00559713.pdf Rectifier Diode Schottky Si 650V 6A 4-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065DLF Виробник : STMicroelectronics stpsc6h065dlf.pdf STPSC6H065DLF SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.