STPSC6H065DLF STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 650V 6A POWERFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 350pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 82.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC6H065DLF STMicroelectronics
Description: DIODE SIC 650V 6A POWERFLAT HV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 350pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V.
Інші пропозиції STPSC6H065DLF за ціною від 76.33 грн до 254.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC6H065DLF | Виробник : STMicroelectronics |
SiC Schottky Diodes 6 A, 650 V SiC Power Schottky Diode |
на замовлення 1427 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STPSC6H065DLF | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIC 650V 6A POWERFLAT HV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 350pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V |
на замовлення 10586 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STPSC6H065DLF | Виробник : STMicroelectronics |
Rectifier Diode Schottky Si 650V 6A 4-Pin Power Flat EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STPSC6H065DLF | Виробник : STMicroelectronics |
STPSC6H065DLF SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |