STPSC6H065DLF STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIC 650V 6A POWERFLAT HV
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 350pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC6H065DLF STMicroelectronics
Description: DIODE SIC 650V 6A POWERFLAT HV, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV, Current - Average Rectified (Io): 6A, Capacitance @ Vr, F: 350pF @ 0V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції STPSC6H065DLF за ціною від 63.12 грн до 236.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STPSC6H065DLF | STMicroelectronics |
Diode Schottky 650V 6A 4-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STPSC6H065DLF | STMicroelectronics |
Diode Schottky 650V 6A 4-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STPSC6H065DLF | STMicroelectronics |
Diode Schottky 650V 6A 4-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STPSC6H065DLF | STMicroelectronics |
Diode Schottky 650V 6A 4-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STPSC6H065DLF | STMicroelectronics |
Description: DIODE SIC 650V 6A POWERFLAT HVPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 350pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V |
на замовлення 7811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| STPSC6H065DLF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Diode Schottky 650V 6A 4-Pin Power Flat EP T/R
Diode Schottky 650V 6A 4-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 72.90 грн |
| STPSC6H065DLF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Diode Schottky 650V 6A 4-Pin Power Flat EP T/R
Diode Schottky 650V 6A 4-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 72.90 грн |
| STPSC6H065DLF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Diode Schottky 650V 6A 4-Pin Power Flat EP T/R
Diode Schottky 650V 6A 4-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 76.03 грн |
| 25+ | 75.43 грн |
| 100+ | 72.16 грн |
| 250+ | 66.28 грн |
| 500+ | 63.12 грн |
| STPSC6H065DLF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Diode Schottky 650V 6A 4-Pin Power Flat EP T/R
Diode Schottky 650V 6A 4-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 185+ | 76.03 грн |
| 187+ | 75.43 грн |
| 188+ | 74.83 грн |
| 250+ | 71.58 грн |
| 500+ | 65.75 грн |
| STPSC6H065DLF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIC 650V 6A POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 350pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Description: DIODE SIC 650V 6A POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 350pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 7811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 236.31 грн |
| 10+ | 148.10 грн |
| 100+ | 102.80 грн |
| 500+ | 78.32 грн |
| 1000+ | 76.04 грн |


