STPSC6H065DLF STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIC 650V 6A POWERFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 350pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 72.32 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC6H065DLF STMicroelectronics
Description: DIODE SIC 650V 6A POWERFLAT HV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 350pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V.
Інші пропозиції STPSC6H065DLF за ціною від 64.11 грн до 237.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STPSC6H065DLF | STMicroelectronics |
Diode Schottky 650V 6A 4-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STPSC6H065DLF | STMicroelectronics |
Diode Schottky 650V 6A 4-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STPSC6H065DLF | STMicroelectronics |
Diode Schottky 650V 6A 4-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STPSC6H065DLF | STMicroelectronics |
Diode Schottky 650V 6A 4-Pin Power Flat EP T/R |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STPSC6H065DLF | STMicroelectronics |
Description: DIODE SIC 650V 6A POWERFLAT HVPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 350pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V |
на замовлення 7811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| STPSC6H065DLF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Diode Schottky 650V 6A 4-Pin Power Flat EP T/R
Diode Schottky 650V 6A 4-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 74.05 грн |
| STPSC6H065DLF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Diode Schottky 650V 6A 4-Pin Power Flat EP T/R
Diode Schottky 650V 6A 4-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 74.05 грн |
| STPSC6H065DLF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Diode Schottky 650V 6A 4-Pin Power Flat EP T/R
Diode Schottky 650V 6A 4-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 77.23 грн |
| 25+ | 76.62 грн |
| 100+ | 73.29 грн |
| 250+ | 67.32 грн |
| 500+ | 64.11 грн |
| STPSC6H065DLF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Diode Schottky 650V 6A 4-Pin Power Flat EP T/R
Diode Schottky 650V 6A 4-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 185+ | 77.23 грн |
| 187+ | 76.62 грн |
| 188+ | 76.01 грн |
| 250+ | 72.71 грн |
| 500+ | 66.78 грн |
| STPSC6H065DLF |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIC 650V 6A POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 350pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Description: DIODE SIC 650V 6A POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 350pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 7811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 237.32 грн |
| 10+ | 148.73 грн |
| 100+ | 103.24 грн |
| 500+ | 78.65 грн |
| 1000+ | 76.37 грн |


