STPSC6H065G-TR STMicroelectronics
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 233.46 грн |
| 10+ | 191.20 грн |
| 100+ | 131.69 грн |
| 500+ | 112.56 грн |
| 1000+ | 78.72 грн |
| 2000+ | 76.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC6H065G-TR STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: D2PAK, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V.
Інші пропозиції STPSC6H065G-TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| STPSC6H065G-TR | Виробник : STMicroelectronics |
 STPSC6H065G-TR SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
||
 |
STPSC6H065G-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
STPSC6H065G-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |