STPSC6H065G-TR

STPSC6H065G-TR STMicroelectronics


en.DM00056349.pdf
Виробник: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes 650V Power Schottky 6A 10nC 175c
на замовлення 530 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.17 грн
10+141.07 грн
100+97.58 грн
500+83.64 грн
1000+61.75 грн
2000+59.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STPSC6H065G-TR STMicroelectronics

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A D2PAK, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Supplier Device Package: D2PAK, Current - Average Rectified (Io): 6A, Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції STPSC6H065G-TR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STPSC6H065G-TR STPSC6H065G-TR Виробник : STMicroelectronics en.DM00056349.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC6H065G-TR STPSC6H065G-TR Виробник : STMicroelectronics en.DM00056349.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A D2PAK
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.