STPSC6H12B-TR1 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 6A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 330pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 109.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC6H12B-TR1 STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 6A DPAK, Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 6 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Supplier Device Package: DPAK, Current - Average Rectified (Io): 6A, Capacitance @ Vr, F: 330pF @ 0V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції STPSC6H12B-TR1 за ціною від 97.58 грн до 285.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC6H12B-TR1 | Виробник : STMicroelectronics |
SiC Schottky Diodes 1200V 6A Schottky 1.55V Vf 30pF 29nC |
на замовлення 2066 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STPSC6H12B-TR1 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 6A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 330pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V |
на замовлення 7403 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|