STPSC8065D STMicroelectronics
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 91.03 грн |
| 10+ | 90.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC8065D STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC, Current - Reverse Leakage @ Vr: 105 µA @ 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 8 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-220AC, Current - Average Rectified (Io): 8A, Capacitance @ Vr, F: 540pF @ 0V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2, Packaging: Tube.
Інші пропозиції STPSC8065D за ціною від 63.38 грн до 207.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC8065D | STMicroelectronics |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 105 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 8 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220AC Current - Average Rectified (Io): 8A Capacitance @ Vr, F: 540pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube |
на замовлення 1004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STPSC8065D | STMicroelectronics |
SiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode |
на замовлення 814 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
STPSC8065D | STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STPSC8065D |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 105 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 540pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 105 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 540pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 207.83 грн |
| 50+ | 99.86 грн |
| 100+ | 90.11 грн |
| 500+ | 68.53 грн |
| 1000+ | 63.38 грн |
| STPSC8065D |
|
Виробник: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode
SiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STPSC8065D |
|
Виробник: STMicroelectronics
Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)