STPSC8065D STMicroelectronics
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 87.80 грн |
| 50+ | 87.13 грн |
| 100+ | 81.05 грн |
| 500+ | 78.11 грн |
| 1000+ | 69.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC8065D STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 540pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 105 µA @ 650 V.
Інші пропозиції STPSC8065D за ціною від 74.67 грн до 238.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STPSC8065D | Виробник : STMicroelectronics |
 Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STPSC8065D | Виробник : STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STPSC8065D | Виробник : STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STPSC8065D | Виробник : STMicroelectronics |
Schottky Diodes & Rectifiers 650 V power Schottky silicon carbide diode |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STPSC8065D | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 540pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 105 µA @ 650 V |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STPSC8065D | Виробник : STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| STPSC8065D | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 650V; 8A; TO220AC; Ufmax: 1.65V Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Max. forward impulse current: 200A Case: TO220AC Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.65V Max. load current: 36A Semiconductor structure: single diode Leakage current: 0.75mA Type of diode: Schottky rectifying Heatsink thickness: 1.23...1.32mm Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| STPSC8065D | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 650V; 8A; TO220AC; Ufmax: 1.65V Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Max. forward impulse current: 200A Case: TO220AC Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.65V Max. load current: 36A Semiconductor structure: single diode Leakage current: 0.75mA Type of diode: Schottky rectifying Heatsink thickness: 1.23...1.32mm Mounting: THT |
товару немає в наявності |