STPSC8065DY STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC8065DY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 28 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 124.81 грн |
| 10+ | 113.62 грн |
| 100+ | 108.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC8065DY STMICROELECTRONICS
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 540pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Part Status: Last Time Buy, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 105 µA @ 650 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції STPSC8065DY за ціною від 126.60 грн до 300.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC8065DY | Виробник : STMicroelectronics |
Schottky Diodes & Rectifiers Automotive 650 V, 8 A SiC Power schottky Diode |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 336-345 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STPSC8065DY | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 540pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Grade: Automotive Part Status: Last Time Buy Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 105 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|