STPSC806D

STPSC806D STMicroelectronics


sgsts28245_1-2282275.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Schottky Diodes & Rectifiers 600 V Power Schottky Silicon Diode
на замовлення 980 шт:

термін постачання 343-352 дні (днів)
Кількість Ціна
2+234.18 грн
10+210.80 грн
100+164.49 грн
500+144.27 грн
1000+121.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STPSC806D STMicroelectronics

Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO220AC, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-220AC, Current - Average Rectified (Io): 8A, Capacitance @ Vr, F: 450pF @ 0V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2, Packaging: Tube.

Інші пропозиції STPSC806D

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STPSC806D STPSC806D Виробник : STMicroelectronics diodes-and-rectifiers.html Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 450pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.