
STPSC806D STMicroelectronics
на замовлення 980 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 249.43 грн |
10+ | 224.52 грн |
100+ | 175.19 грн |
500+ | 153.67 грн |
1000+ | 129.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC806D STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 450pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V.
Інші пропозиції STPSC806D
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
STPSC806D | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
STPSC806D | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
STPSC806D | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 450pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |