STPSC806D STMicroelectronics
на замовлення 980 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 268.25 грн |
| 10+ | 241.46 грн |
| 100+ | 188.41 грн |
| 500+ | 165.26 грн |
| 1000+ | 139.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC806D STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 450pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V.
Інші пропозиції STPSC806D
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC806D | Виробник : STMicroelectronics |
 Rectifier Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
на замовлення 745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
STPSC806D | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 450pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |