Продукція > STMICROELECTRONICS > STPSC806G-TR

STPSC806G-TR STMicroelectronics

Name: STPSC806G-TR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 72031-4
Price: 185790 UAH
Availability: BackOrder

Виробник: STMicroelectronics
Rectifier Diode Schottky 600V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис STPSC806G-TR STMicroelectronics

Description: DIODE SIL CARBIDE 600V 8A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 450pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: D²PAK, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V.

Інші пропозиції STPSC806G-TR

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
STPSC806G-TR	Виробник : STMicroelectronics	STPSC806G-TR SMD Schottky diodes	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STPSC806G-TR	Виробник : STMicroelectronics	Description: DIODE SIL CARBIDE 600V 8A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 450pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: D²PAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STPSC806G-TR	Виробник : STMicroelectronics	Description: DIODE SIL CARBIDE 600V 8A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 450pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: D²PAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STPSC806G-TR	Виробник : STMicroelectronics	Schottky Diodes & Rectifiers 600V Power Schottky 8A 10 nC No Reverse	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.