STPSC8H065B-TR

STPSC8H065B-TR STMicroelectronics


en.DM00063470.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+72.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STPSC8H065B-TR STMicroelectronics

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: DPAK, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V.

Інші пропозиції STPSC8H065B-TR за ціною від 74.08 грн до 237.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STPSC8H065B-TR STPSC8H065B-TR Виробник : STMicroelectronics en.DM00063470.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 13528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+222.49 грн
10+121.89 грн
100+99.05 грн
500+80.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC8H065B-TR STPSC8H065B-TR Виробник : STMicroelectronics en.DM00063470.pdf SiC Schottky Diodes 650 V 8A Schottky silicon carbide DPAK
на замовлення 7866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+237.25 грн
10+151.89 грн
100+92.24 грн
500+79.67 грн
2500+74.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.