STPSC8H065BY-TR STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 91.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC8H065BY-TR STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: DPAK, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції STPSC8H065BY-TR за ціною від 79.48 грн до 284.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC8H065BY-TR | Виробник : STMicroelectronics |
SiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 8 A Silicon Carbide Diode |
на замовлення 2472 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STPSC8H065BY-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4051 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|