STPSC8H065DI STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 650V 8A TO220AC INS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC ins
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 260.23 грн |
| 50+ | 158.48 грн |
| 100+ | 139.76 грн |
| 500+ | 106.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC8H065DI STMicroelectronics
Description: DIODE SIC 650V 8A TO220AC INS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220AC ins, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V.
Інші пропозиції STPSC8H065DI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC8H065DI | Виробник : STMicroelectronics |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V Pwr Schottky Silicn Carbide Diode |
на замовлення 1214 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| STPSC8H065DI | Виробник : STMicroelectronics |
STPSC8H065DI THT Schottky diodes |
товару немає в наявності |