STPSC8H065DI STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIC 650V 8A TO220AC INS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC ins
Current - Average Rectified (Io): 8A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 152.12 грн |
| 50+ | 94.28 грн |
| 100+ | 93.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC8H065DI STMicroelectronics
Description: DIODE SIC 650V 8A TO220AC INS, Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-220AC ins, Current - Average Rectified (Io): 8A, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC, Packaging: Tube.
Інші пропозиції STPSC8H065DI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC8H065DI | Виробник : STMicroelectronics |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V Pwr Schottky Silicn Carbide Diode |
на замовлення 1214 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |