STPSC8H065DLF STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 650V 8A POWERFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 460pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 106.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC8H065DLF STMicroelectronics
Description: DIODE SIC 650V 8A POWERFLAT HV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 460pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V.
Інші пропозиції STPSC8H065DLF за ціною від 99.31 грн до 308.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC8H065DLF | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC8H065DLF - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 26 nC, PowerFLAT tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kapazitive Gesamtladung: 26nC rohsCompliant: YES Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 |
на замовлення 2084 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STPSC8H065DLF | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC8H065DLF - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 26 nC, PowerFLAT tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kapazitive Gesamtladung: 26nC rohsCompliant: YES Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 |
на замовлення 2084 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STPSC8H065DLF | Виробник : STMicroelectronics |
SiC Schottky Diodes 8 A 650 V SiC Power Schottky Diode |
на замовлення 1714 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STPSC8H065DLF | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIC 650V 8A POWERFLAT HV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 460pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V |
на замовлення 5156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| STPSC8H065DLF | Виробник : STMicroelectronics |
STPSC8H065DLF SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |