Продукція > STMICROELECTRONICS > STPSC8H065G-TR

STPSC8H065G-TR STMicroelectronics

Виробник: STMicroelectronics
STPSC8H065G-TR SMD Schottky diodes

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Технічний опис STPSC8H065G-TR STMicroelectronics

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: D2PAK, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V.

Інші пропозиції STPSC8H065G-TR

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
STPSC8H065G-TR	Виробник : STMicroelectronics	Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STPSC8H065G-TR	Виробник : STMicroelectronics	Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STPSC8H065G-TR	Виробник : STMicroelectronics	Schottky Diodes & Rectifiers 650 V 8A Schottky silicon carbid T2PAK	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.