Продукція > STMICROELECTRONICS > STQ1HNK60R-AP
STQ1HNK60R-AP

STQ1HNK60R-AP STMicroelectronics

stn1hnk60.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STQ1HNK60R-AP STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STQ1HNK60R-AP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 400 mA, 8 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STQ1HNK60R-AP за ціною від 16.07 грн до 87.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STQ1HNK60R-AP STQ1HNK60R-AP Виробник : STMicroelectronics stn1hnk60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+17.26 грн
4000+16.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1HNK60R-AP STQ1HNK60R-AP Виробник : STMicroelectronics stn1hnk60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+19.86 грн
4000+19.21 грн
6000+19.02 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1HNK60R-AP STQ1HNK60R-AP Виробник : STMicroelectronics stn1hnk60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+21.21 грн
4000+20.52 грн
6000+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1HNK60R-AP STQ1HNK60R-AP Виробник : STMicroelectronics stn1hnk60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.17 грн
10+44.52 грн
100+29.12 грн
500+21.10 грн
1000+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1HNK60R-AP STQ1HNK60R-AP Виробник : STMICROELECTRONICS stn1hnk60.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STQ1HNK60R-AP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 400 mA, 8 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+83.24 грн
17+52.48 грн
100+34.19 грн
500+24.60 грн
1000+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1HNK60R-AP STQ1HNK60R-AP Виробник : STMicroelectronics stn1hnk60-1851347.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 7.3 Ohm typ 1 A SuperMESH PowerMOSFET in TO-92 package
на замовлення 4065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+87.02 грн
10+53.53 грн
100+30.32 грн
500+23.54 грн
1000+21.26 грн
2000+17.29 грн
4000+16.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1HNK60R-AP STQ1HNK60R-AP
Код товару: 103680
Додати до обраних Обраний товар

stn1hnk60.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1HNK60R-AP STQ1HNK60R-AP Виробник : STMicroelectronics stn1hnk60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1HNK60R-AP Виробник : STMicroelectronics stn1hnk60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.