Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STQ1HNK60R-AP

STQ1HNK60R-AP

stn1hnk60.pdf
Код товару: 103680
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STQ1HNK60R-AP за ціною від 18.93 грн до 73.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STQ1HNK60R-AP STQ1HNK60R-AP STMicroelectronics stn1hnk60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+19.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1HNK60R-AP STQ1HNK60R-AP STMicroelectronics stn1hnk60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+22.63 грн
4000+21.89 грн
6000+21.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1HNK60R-AP STQ1HNK60R-AP STMicroelectronics stn1hnk60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+22.70 грн
4000+21.96 грн
6000+21.74 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1HNK60R-AP STQ1HNK60R-AP STMicroelectronics stn1hnk60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.51 грн
10+44.21 грн
100+28.89 грн
500+20.92 грн
1000+18.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1HNK60R-AP STQ1HNK60R-AP STMicroelectronics stn1hnk60.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 7.3 Ohm typ., 1 A SuperMESH PowerMOSFET in TO-92 package
на замовлення 7435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1HNK60R-AP STQ1HNK60R-AP STMICROELECTRONICS stn1hnk60.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STQ1HNK60R-AP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 400 mA, 8 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1HNK60R-AP stn1hnk60.pdf
STQ1HNK60R-AP
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+19.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1HNK60R-AP stn1hnk60.pdf
STQ1HNK60R-AP
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+22.63 грн
4000+21.89 грн
6000+21.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1HNK60R-AP stn1hnk60.pdf
STQ1HNK60R-AP
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+22.70 грн
4000+21.96 грн
6000+21.74 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1HNK60R-AP stn1hnk60.pdf
STQ1HNK60R-AP
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+73.51 грн
10+44.21 грн
100+28.89 грн
500+20.92 грн
1000+18.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1HNK60R-AP stn1hnk60.pdf
STQ1HNK60R-AP
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 7.3 Ohm typ., 1 A SuperMESH PowerMOSFET in TO-92 package
на замовлення 7435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1HNK60R-AP stn1hnk60.pdf
STQ1HNK60R-AP
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STQ1HNK60R-AP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 400 mA, 8 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.