STQ1NK60ZR-AP STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 13.97 грн |
| 4000+ | 13.20 грн |
| 6000+ | 13.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STQ1NK60ZR-AP STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STQ1NK60ZR-AP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 400 mA, 13 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STQ1NK60ZR-AP за ціною від 11.36 грн до 59.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STQ1NK60ZR-AP | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 2538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STQ1NK60ZR-AP | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 2538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STQ1NK60ZR-AP | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V |
на замовлення 3224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STQ1NK60ZR-AP | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STQ1NK60ZR-AP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 400 mA, 13 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STQ1NK60ZR-AP | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 13 Ohm typ 0.3 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in TO-9 |
на замовлення 3395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STQ1NK60ZR-AP | Виробник : ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 15Ohm; 300mA; 3W; -55°C~150°C; STQ1NK60ZR-AP STMicroelectronics TSTQ1NK60ZR-AP кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 867 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
STQ1NK60ZR-AP Код товару: 85095
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|
|||||||||||||||||
 |
STQ1NK60ZR-AP | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 3-Pin TO-92 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STQ1NK60ZR-AP | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 3-Pin TO-92 T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
STQ1NK60ZR-AP | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 3-Pin TO-92 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STQ1NK60ZR-AP | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 300mA; Idm: 0.189A; 3W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 0.189A Power dissipation: 3W Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 15Ω Mounting: THT Gate charge: 4.9nC Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| STQ1NK60ZR-AP | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 300mA; Idm: 0.189A; 3W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 0.189A Power dissipation: 3W Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 15Ω Mounting: THT Gate charge: 4.9nC Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |