STQ1NK80ZR-AP

STQ1NK80ZR-AP STMicroelectronics


stq1nk80zr-ap.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 300MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+24.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STQ1NK80ZR-AP STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 800V 300MA TO92-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-92-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Power Dissipation (Max): 3W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Packaging: Tape & Box (TB).

Інші пропозиції STQ1NK80ZR-AP за ціною від 20.35 грн до 94.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STQ1NK80ZR-AP STQ1NK80ZR-AP Виробник : STMicroelectronics stq1nk80zr-ap.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 300MA TO92-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.03 грн
10+53.84 грн
100+36.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NK80ZR-AP STQ1NK80ZR-AP Виробник : STMicroelectronics stq1nk80zr-ap.pdf MOSFETs N Ch 800V 13 Ohm 1A
на замовлення 4966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.32 грн
10+58.67 грн
100+33.66 грн
500+26.21 грн
1000+23.77 грн
2000+21.61 грн
4000+20.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.